高純銀靶材 4N銀靶材 Ag靶材 銀平面靶材 銀靶材加工

科技日報(bào)：ITO靶材屬于35項(xiàng)卡脖子技術(shù)之一。UVTM掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴(kuò)散，目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等在國內(nèi)處于****水平。在中國光伏產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的前提下，作為薄膜太陽能電池上游的太陽能電池靶材市場規(guī)模也會(huì)保持高速發(fā)展。平板顯示器不斷向大尺寸方向發(fā)展，平板顯示器的出貨面積逐年加大；單個(gè)硬盤容量的逐年增長，推動(dòng)了硬盤年銷售總?cè)萘砍掷m(xù)增長。國內(nèi)大的半導(dǎo)體芯片用濺射靶材生產(chǎn)商，主要產(chǎn)品為各種高純?yōu)R射靶材，鉭靶、鎢鈦靶、LCD用碳纖維支撐等。高純度濺射靶材主要應(yīng)用于電子元器件制造的物理-氣相沉積工藝。高純鋁及鋁合金是目前使用廣泛的導(dǎo)電層薄膜材料之一。

硅材料因?qū)щ娐什患敖饘�，且隨溫度升高而增加，因而具有半導(dǎo)體性質(zhì)。微電子領(lǐng)域?qū)Π胁臑R射薄膜的品質(zhì)和電阻要求是相當(dāng)苛刻的。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。電阻率是硅靶材產(chǎn)品的重要參數(shù)之一，除特殊用途外，絕大多數(shù)硅靶材電阻率要求越低越好，開始應(yīng)用時(shí)電阻率要求在0.1-0.5Ω·cm范圍內(nèi)，逐漸降低至小于0.1Ω·cm，目前標(biāo)準(zhǔn)電阻率為0.02-0.04Ω·cm。為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，UVTM的研發(fā)人員開發(fā)了一種超低阻硅靶材，在硅材料中摻入處理過的高硼含量母合金，使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm。純度大于5N，且致密度大于99％。傳統(tǒng)的覆于電子產(chǎn)品玻璃面板表面的黑化膜對光的反射強(qiáng)。

磁控濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等;亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域;還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、高等裝飾用品等行業(yè)。透磁率可以作為評估磁性靶材透磁性能的有效指標(biāo)，其測試方法還沒有相應(yīng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，很大程度上制約了國內(nèi)磁性濺射靶材的研發(fā)、制作及工業(yè)化生產(chǎn)。磁控靶的實(shí)際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質(zhì)量要求等因數(shù)有關(guān)外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關(guān)。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種�？紤]到濺射靶長期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質(zhì)的散熱系數(shù)的不同，磁控靶的使用時(shí)的承載功率。

ITO靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及其對我國觸控面板產(chǎn)業(yè)的影響。如何燒制是個(gè)問題,而燒結(jié)大尺寸的ITO靶材就意味著需要大型的爐子。首先需要把氧化銦和氧化錫粉末按嚴(yán)格的比例混合，然后生產(chǎn)加工成地板磚的形狀，1700攝氏度的高溫?zé)�，形成的黑灰色陶瓷半�?dǎo)體就是ITO靶材。大部分國家銦的保有量只有1.6萬噸，中國的銦保有量約1萬噸，到62%。接下來是秘魯?shù)?80噸、加拿大的560噸、美國的450噸，分別占大部分國家保有量的3.6%、3.5%、2.7%，比較可知。鈮是灰白色金屬，熔點(diǎn)2468℃，沸點(diǎn)4742℃，密度8.57克/立方厘米。鈮是一種帶光澤的灰色金屬，具有順磁性，屬于元素周期表上的5族。高純度鈮金屬的延展性較高，但會(huì)隨雜質(zhì)含量的增加而變硬。

一般情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時(shí)的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下，那么所沉積的ITO薄膜電阻率將降低50%以上。產(chǎn)品質(zhì)量。同時(shí)也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。將ITO玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極,其中兩種在直流磁控濺射制備ITO薄膜時(shí)，降低薄膜濺射電壓的有效途徑磁場強(qiáng)度對濺射電壓的影響當(dāng)磁場強(qiáng)度為300G時(shí)，濺射電壓約為-350v；但當(dāng)磁場強(qiáng)度升高到1000G時(shí)，濺射電壓下降至-250v左右。一般情況下，磁場強(qiáng)度越高、濺射電壓越低，但磁場強(qiáng)度為1000G以上時(shí)，磁場強(qiáng)度對濺射電壓的影響就不明顯了。ITO薄膜的濺射電壓，可以通過合理的增強(qiáng)濺射陰極的磁場強(qiáng)度來實(shí)現(xiàn)。

低電壓濺射制備ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控濺射制備ITO薄膜的過程中，會(huì)產(chǎn)生大量的氧負(fù)離子，氧負(fù)離子在電場的作用下，以一定的粒子能量會(huì)轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)和晶體狀態(tài)造成結(jié)構(gòu)缺陷。濺射的電壓越大，氧負(fù)離子轟擊膜層表面的能量也越大。為了有效地降低磁控濺射的電壓，以達(dá)到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用一套特殊的濺射陰極結(jié)構(gòu)和濺射直流電源，同時(shí)將一套3KW的射頻電源合理地匹配疊裝在一套6KW的直流電源上。在不同的直流濺射功率和射頻功率下進(jìn)行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。超聲探傷：靶坯加工完后需要采用波進(jìn)行檢查材料內(nèi)部是否有缺陷。一方面在陰極靶的周圍。

廣州市尤特新材料有限公司（以下簡稱“尤特”），成立于2003年，位于羊城廣州的北面-花都,占地總面積約3萬平方米。尤特是一家專注于時(shí)尚消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)、節(jié)能綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)、新材料新技術(shù)開發(fā)和應(yīng)用的重要高新技術(shù)企業(yè)。尤特以生產(chǎn)信息存儲(chǔ)記錄材料為起點(diǎn)，經(jīng)過10多年的開拓與發(fā)展，產(chǎn)業(yè)技術(shù)不斷迭代與升級，尤特的技術(shù)及應(yīng)用涉獵范圍逐步擴(kuò)大，其中主要包括：真空鍍膜靶材；環(huán)保（UV/水性）材料；觸控顯示材料；印刷技術(shù)及材料；信息存儲(chǔ)材料、導(dǎo)電散熱材料等。尤特一直倡導(dǎo)“新材料、促環(huán)保、美生活”企業(yè)使命。尤特遵循科學(xué)體系管理，先后通過《質(zhì)量管理體系》、《環(huán)境管理體系》、《職業(yè)健康與安全管理體系》認(rèn)證并有效運(yùn)行，產(chǎn)品符合全部環(huán)境及安全標(biāo)準(zhǔn)；獲得SONY GP綠色合作伙伴全部認(rèn)證等。尤特重視產(chǎn)品研發(fā)及技術(shù)創(chuàng)新，先后與"武漢大學(xué)"、"華南理工大學(xué)"、"中南大學(xué)"等高校、研究所建立"產(chǎn)學(xué)研"合作機(jī)制，并承擔(dān)多項(xiàng)省市立項(xiàng)的科研項(xiàng)目，公司目前已擁有幾十項(xiàng)自主研發(fā)新興材料及工藝的知識產(chǎn)權(quán)，是廣州市扶持科技型要點(diǎn)培育上市企業(yè)。尤特先后獲得相關(guān)機(jī)構(gòu)的授予多個(gè)榮譽(yù)：如“國家生產(chǎn)力促進(jìn)獎(jiǎng)、國家有名商標(biāo)、廣東省守合同重信用企業(yè)、廣東省雇主責(zé)任示范企業(yè)、廣州市安全生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)化達(dá)標(biāo)企業(yè)、廣州市工程技術(shù)研發(fā)中心、廣州科技小巨人企業(yè)、地方納稅企業(yè)”等榮譽(yù)。尤特全體同仁秉承“創(chuàng)造價(jià)值，分享價(jià)值“的核心價(jià)值觀，借鑒以往成功管理運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)，持續(xù)深挖磁控濺射鍍膜材料下游應(yīng)用市場，不斷拓寬市場應(yīng)用領(lǐng)域，做優(yōu)做強(qiáng)鍍膜材料產(chǎn)業(yè),將公司打造為--磁控濺射靶材行業(yè)者。

地區(qū)：廣東 廣州 花都區(qū)
網(wǎng)址: http://UVTMCOM.glass.com.cn

產(chǎn)品屬性：
計(jì)量單位：套 供貨總量：9999 最小起訂量：1 產(chǎn)品單價(jià)：1200.00 品牌： 規(guī)格型號： 包裝說明：