大部分國家較優(yōu)化的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池生產(chǎn)線問世

目前擁有世界較新銅銦鎵硒鍍膜技術(shù)的太陽能電池生產(chǎn)線在中國大陸推出。此項技術(shù)的研發(fā)總召是臺灣WST公司總裁張升常，原是臺灣生產(chǎn)太陽能電池設備零組件的制造商，同時也是太陽能電池應用材料方面的專家，這使得他比一般人對太陽能電池技術(shù)的研發(fā)感受要深，撲捉太陽能電池制程難點與技術(shù)攻關方向的目光也比常人更敏銳，更準確，更有實際效果。他于十多年前轉(zhuǎn)身投入到攻克銅銦鎵硒鍍膜技術(shù)的瓶頸上，與此同時充分利用自己多年生產(chǎn)太陽能電池制造設備零組件的豐富經(jīng)驗與切身體會，同步試驗與其新技術(shù)相匹配的制造設備，而且其中關鍵性的制程工藝與設備，已歷經(jīng)了十幾代的測試與改進，因為是人與設備、技術(shù)與設備零距離的高度融合，使其推出的含有較新技術(shù)的整廠銅銦鎵硒薄膜太陽能電池生產(chǎn)線，即是目前世界上較成熟也是較優(yōu)化的，而且價格與國外廠家生產(chǎn)現(xiàn)有水平的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池制造設備相比要低很多。：

該整廠銅銦鎵硒薄膜太陽能電池生產(chǎn)線擁有多項核心自主的技術(shù)專利。專利之一：銅銦鎵硒四元靶材、制法、靶背板接合方法及其補料方法(含四元靶材制作、靶背板制作及接合、靶材補料三種專利)。專利之二：銅銦鎵硒的硒(硫)化熱處理方法及設備(真空、快速升溫、快速降溫、公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)、Se單體、S單體)1.4M×1.1M每批次2pcs約40分鐘。專利之三：CIGS制程中的大型基板全方位調(diào)移系統(tǒng)(適用于立式濺射及熱處理制程等之基板承載)。專利之四：長線型熱蒸發(fā)源（長度可達到2米，膜厚均勻度在3%以內(nèi)）。專利之五：銅銦鎵硒制程中的基板單面化學水浴鍍膜(CBD)制程及其設備(緩沖層的CdS鍍膜，其前趨溶液在每次反應后即成無害無污染廢水，此發(fā)明溶液用量較少可穩(wěn)定成膜，降低成本并具環(huán)保)。專長：銅銦鎵硒粉末系列制程(設備與Know How)。CuIn CuGa CIG CIGS等powder。專長：銅銦鎵硒Turn－Key整廠輸出。

由于該整廠銅銦鎵硒薄膜太陽能電池生產(chǎn)線擁有上述核心自主的技術(shù)專利，使其與目前全球同類設備相比具有的三大特點。一是建置成本較低，全制程的技術(shù)與設備都是自主研發(fā)的，沒任何嫁接和拼湊。Turn－Key底子雄厚，經(jīng)驗豐富，整廠成套生產(chǎn)線中關鍵設備均為自廠制造，確保了設備的質(zhì)量，穩(wěn)定性世界靠前，能保障穩(wěn)產(chǎn)高產(chǎn)，同時得以控制設備制造成本。二是生產(chǎn)與產(chǎn)品成本較低，利用整廠成套生產(chǎn)線可以在廠內(nèi)自制靶材（專利授權(quán)）、廠內(nèi)貼合（專利授權(quán)），實現(xiàn)生產(chǎn)成本與產(chǎn)品成本的自主控制。三是較佳模式的研發(fā)使得效率可持續(xù)增長，對模層要求含量的設定因是共蒸和濺鍍，可以任意做修改�？扇我膺x擇膜層mole－ratio熱處理爐在設計上預留可變因子，有助于銅銦鎵硒結(jié)晶的任何要求準確組合。對后續(xù)研發(fā)參數(shù)的設定，將順利進行預期的升級。