銅銦鎵硒薄膜太陽能電池較的制造技術(shù)與設(shè)備由寶島推出

作為第二代的多元金屬化合物薄膜太陽能電池，是業(yè)界公認(rèn)的對傳統(tǒng)晶體硅太陽能電池的替代產(chǎn)品，而其中的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池又是較為的。近日，臺灣威士通太陽光電研究所推出了目前全球較新較先進(jìn)的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池制造技術(shù)與生產(chǎn)設(shè)備，并在大陸注冊了推廣機構(gòu)（遼寧陸臺太陽能光伏科技開發(fā)有限公司）并派駐了首席代表，地點設(shè)在遼寧省的沈陽市。

技術(shù)特點：

先進(jìn)處之一：先進(jìn)在鍍膜技術(shù)上與鍍膜面積大。制造銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的較核心技術(shù)，就在膜層的沉積及其硒化熱處理結(jié)晶的工藝上。目前世界上只有德國、瑞士、日本和美國等極少數(shù)國家擁有這項技術(shù)，臺灣在這項技術(shù)上已超越了這幾個國家。銅銦鎵硒薄膜太陽能電池膜層的制程，是多年來業(yè)界所追求的能低成本技術(shù)，而其中的硒化熱處理更是業(yè)界長久以來未能突破的較關(guān)鍵性技術(shù)，近年來全球為攻克此項技術(shù)的研發(fā)費用已燒掉了上百億美元，目前已取得領(lǐng)先地位的這幾個國家，使用的都是高溫氣體硒硒化熱處理，還不甚理想，因為硒化爐主要是以石英管為體、硒化氫氣體為原料，因受石英管的限制，操作面積小、升溫慢、降溫更慢（約需10小時），且產(chǎn)成品的優(yōu)良率低，另外，硒化氫氣體容量爆炸，材料價格也比較高，而臺灣研發(fā)成功的是低溫固體硒硒化熱處理，這是對此項關(guān)鍵技術(shù)的革命性突破。此外，鍍膜面積達(dá)1～2平方米，是目前全球鍍膜幅面較大的，而且膜層均勻度公差小于3%，且制程速度快，成本比國外工藝節(jié)省10倍。

先進(jìn)處之二：先進(jìn)在轉(zhuǎn)換率可以在同機上持續(xù)提升。使用本技術(shù)鍍膜的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的實驗室轉(zhuǎn)換率已達(dá)29%，這是所有已知各種材料的太陽能電池較高的，目前首次定制的實際轉(zhuǎn)換率是11～12%，居所有已知薄膜太陽能電池之首，它雖然沒有晶體硅太陽能電池初始轉(zhuǎn)換率高，但它不存在衰退問題，相反其轉(zhuǎn)換率還會與時俱增，而晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換率卻與時俱減，且衰退速度極快。本項技術(shù)的較大特點是預(yù)設(shè)了后續(xù)提高轉(zhuǎn)換率的因子，隨著對鍍腹操作熟練程度的提高，可隨時改變預(yù)設(shè)參數(shù)陸續(xù)提高相應(yīng)的轉(zhuǎn)換率，而且是在同一個設(shè)備上提升，無須再重復(fù)更換新的設(shè)備。作為多元金屬化合物薄膜太陽能電池，比晶體硅太陽能電池對太陽光波長的敏感度都高，光譜吸收范圍也很大，即使是在弱光條件下仍可吸收光源而產(chǎn)生電能，而采用較新鍍膜制程獲得優(yōu)質(zhì)膜層的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池則更顯突出，同樣1W設(shè)備在同樣天候下，銅銦鎵硒薄膜太陽能電池是晶體硅太陽能電池發(fā)電量的1.3倍。

設(shè)備特點：

先進(jìn)處之一：優(yōu)化的30兆瓦整廠生產(chǎn)設(shè)備。全制程的設(shè)備都是自主研發(fā)的，沒有任何嫁接和拼湊，Turn－Key底子雄厚，經(jīng)驗豐富，整廠成套生產(chǎn)線中關(guān)鍵設(shè)備均為自廠制造，一是確保設(shè)備的質(zhì)量，穩(wěn)定性世界靠前，能保障穩(wěn)產(chǎn)高產(chǎn)，二是整廠成套生產(chǎn)線優(yōu)化到了良好，從而控制了設(shè)備的制造成本，價格要比國外同樣產(chǎn)能的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池生產(chǎn)線低很多。三是利用整廠成套生產(chǎn)線可以在廠內(nèi)自制靶材和廠內(nèi)貼合，實現(xiàn)生產(chǎn)成本與產(chǎn)品成本的自主控制。四是設(shè)備對模層要求含量的設(shè)定是共蒸和濺鍍，可做任意修改，任意選擇膜層的摩爾比，預(yù)留的可變因子可用于調(diào)整銅銦鎵硒結(jié)晶的各種準(zhǔn)確組合，方便于后期電池片轉(zhuǎn)換率的預(yù)期升級。

先進(jìn)處之二：擁有多項核心自主的技術(shù)專利。專利之一：銅銦鎵硒四元靶材、制法、靶背板接合方法及其補料方法(含四元靶材制作、靶背板制作及接合、靶材補料三種專利)。專利之二：銅銦鎵硒硒化熱處理方法及設(shè)備（真空、快速升溫、快速降溫、公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)、Se單體、S單體)1.4M×1.1M每批次2pcs約40分鐘。專利之三：銅銦鎵硒制程中的大型基板全方位調(diào)移系統(tǒng)（適用于立式濺射及熱處理制程等之基板承載）。專利之四：長線型熱蒸發(fā)源（長度可達(dá)到2米，膜厚均勻度在3%以內(nèi)）。專利之五：銅銦鎵硒制程中的基板單面化學(xué)水浴鍍膜（CBD）制程及其設(shè)備（緩沖層的CdS鍍膜，其前趨溶液在每次反應(yīng)后即成無害無污染廢水，此發(fā)明溶液用量較少可穩(wěn)定成膜，降低成本并環(huán)保）。專長：銅銦鎵硒粉末系列制程（設(shè)備與Know How）。CuIn CuGa CIG CIGS等powder。專長：CIGS Turn－Key整廠輸出。